GaAs:Er,O

Samco Interview(大阪大学大学院工学研究科マテリアル生産科学専攻教授 藤原康文先生)

http://www.samco.co.jp/samconowweb/vol65/interview.pdf

秩序制御された希土類添加半導体に発現する高次量子機能とデバイス応用

http://ir.library.osaka-u.ac.jp/metadb/up/LIBLTCK01/ltc143_01.pdf

XAFS 測定の半導体への応用

http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol23/23-06/hmk367-373.pdf memo。

ESR study of GaAs:Er codoped with oxygen grown by organometallic vapor phase epitaxy

Physica E 10 (2001) 395-398memo

発光素子用希土類元素添加半導体積層構造、それを用いた発光ダイオード、半導体レーザダイオード及び半導体光増幅器並びにそれらの製造方法

http://jstore.jst.go.jp/cgi-bin/patent/advanced/detail.cgi?pat_id=7442

希土類添加III - V族半導体による 電流注入型発光デバイス 藤原康文・小泉 淳・竹田美和

http://d.hatena.ne.jp/sib1977/20080427/p4図書館からコピーしてきて読んだ。なるほど。もっと早く読んでおけば良かった。まぁ、そんなのばっかりだけどね。

Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

Enhancement of 1.5μm electroluminescence by separate confinement structure with Er, O-codoped GaAshttp://ci.nii.ac.jp/naid/110006292282/

減圧OMVPE法により作製したEr,O共添加GaAs/GaInPの電流注入発光特性(III族窒化物研究の最前線)

Electroluminescence properties of Er,O-codoped GaAs/GaInP grown by OMVPEhttp://ci.nii.ac.jp/naid/110003174909/

希土類元素Erを発光中心とする波長無変動発光デバイス

http://jstshingi.jp/2005/pdf/112503.pdf