2008-05-15から1日間の記事一覧

Er,O共添加GaAsを有する分離閉じ込め構造による1.5μm帯の電流注入による発光強度の増大(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

Enhancement of 1.5μm electroluminescence by separate confinement structure with Er, O-codoped GaAshttp://ci.nii.ac.jp/naid/110006291092/

XAFS 測定の半導体への応用

http://www-surface.phys.s.u-tokyo.ac.jp/sssj/Vol23/23-06/hmk367-373.pdf

希土類元素添加半導体を基盤とした波長超安定新規発光デバイスの高性能化

http://ja-tec.com/K/K21/content40566.html

ねむ〜

なんだかんだ言って、こんな時間か。そろそろ帰ります。金曜日の発表のネタを考え中。バックグラウンドが違うからなー。難しいんだよな。そういうときに、私がやると、講義みたいになってしまうんだよな。むー。