「電気抵抗変わる新物質…福井大教授ら作る」（2012年7月15日 読売新聞）

http://www.yomiuri.co.jp/kyoiku/news/20120715-OYT8T00247.htm

福井大の菊池彦光教授（物性物理学）らが、磁場をかけると電気抵抗が大きく変化する現象「超巨大磁気抵抗（ＣＭＲ）」の効果を示す新しい物質を作り出すことに成功した。ＣＭＲ効果は、ハードディスク（ＨＤ）などの記憶装置に組み込まれた情報読み取り部品に応用されており、今回の新物質発見が、より安価で大容量のＨＤ製品の開発などにつながる可能性があるという。

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